特点
- 能实现目前为止SPXO无法达到的高精度频率
- 可以作为中精度的TCXO使用（±50ppm, -40~+85℃）
※如有想达到的温度范围以及频率精度，可联系我司人员 - 低消耗电流
- 晶体振荡回路内置，并已完成频率调整，无需再做电路匹配
- Pb Free
- 规定电压应用中保证起振
基本规格
| 项目 | 记号 | 规格 | |
|---|---|---|---|
| 公称频率 | f_nom | 32.768kHz | |
| 频率容许偏差 | f_tol | ±3 x 10-6 | +25℃,VDD=3.3 V |
| 温度带频率特性 | f0_Tc | ±50 x 10-6 | -40～+85℃ (+25℃ is reference) |
| 电源电压 | VDD | 1.3～3.63V | (*1) |
| 温度补偿电压 | VTEM | 1.5～3.63V | |
| 电流消耗 | IDD | 1.3μA Typ. 2.5μA Max. |
VDD=3.3V,No load condition |
| 占空比 | SYM | 40/60 | Load：30pF |
| 上升时间/下降时间 | tr/tf | 40ns Max. | Load：30pF
Output level 10～90% |
| 输出电容 | CLOUT | 30pF Max. | CMOS Loading |
| 频率老化程度 | f_age | ±3 x 10-6/Year | +25℃,VDD=3.3 V,
First Year |
| 工作温度范围 | T_use | −40ºC to +85ºC | |
| 保存温度范围 | T_stg | −55ºC to +125ºC |
(*1) 变为低于1.5以下V时，频率温度补偿动作不动作
