特長
- ⽔晶内蔵発振器では世界最⼩の低消費電流
0.35μA typ.(VDD=1.8V) - 小型（2.0×1.2×0.85mm）
- 完全Pbフリー RoHS指令対応
- 信頼性の高いフォトリソグラフィー加工の⽔晶振動子を内蔵
仕様
| 項目 | 記号 | 仕様 | 条件 |
|---|---|---|---|
| 公称周波数 | f_nom | 32.768kHz | |
| 周波数許容偏差 | f_tol | ±20 x 10-6 | |
| 電源電圧 | VDD | 1.2～5.5V | |
| 保存温度範囲 | T_stg | -55 〜 +125ºC | |
| 動作温度範囲 | T_use | -40 〜 +85ºC | |
| 頂点温度 | Ti | +25±5ºC | |
| 二次温度係数 | β | (−0.030±10%) x 10-6/ºC2 | |
| 周波数電源電圧特性 | f0_VDD | ±1×10-6/V | VDD=1.2～5.5V |
| 消費電流 | IDD |
0.35 typ. / 0.65 max. μA | VDD=1.8V、無負荷時 |
| 0.50 typ. / 0.80 max. μA | VDD=3.3V、無負荷時 | ||
| スリープ時消費電流 | IDD2 | 0.25 typ. / 0.60 max. μA | VDD=1.2～5.5V、
無負荷時 |
| 波形シンメトリ | SYM | 50±10 % | 15pF負荷 |
| 立上り/立下り時間 | tr/tf | 200ns Max. | 15pF負荷、0.1VDD→0.9VDD/
0.9VDD→0.1VDD |
| 入力電圧レベル | VIL | 0.2VDD max. V | INHN端子 |
| VIH | 0.8VDD min. V | INHN端子 | |
| 出力電圧レベル | VoL | 0.4 max. V | Q端子 |
| VoH | VDD-0.4 min. V | Q端子 | |
| 出⼒負荷容量 | CLOUT | 15 max. pF | CMOS負荷 |
| 発振開始時間 | t_str | 0.15 Typ. / 0.50 max. | VDD=1.2～5.5V |
| 周波数経時変化 | f_aging | ±3 x 10-6 | 初年度 |
※特記（条件）なき場合は、特性値（仕様）はTa=+25℃、VDD=3.3Vの条件です。
