ULTRAシリーズ 【イオン注入型シリコン検出器】
概要 イオン注入型シリコン検出器で、高分解能、高効率のアルファ線・ベータ線スペクトロスコピ向けの製品です。ボロンを注入した500Åの極薄いコンタクトにより優れた分解能を発揮します。また、シリコン表面とマウンティング表面の […]
メーカー名 : ORTEC
ORTECは、イオン注入や表面障壁の技術を利用してシリコン荷電粒子検出器(Silicon Charged-Particle Detector)を製造しています。
イオン注入型の場合は、フロントコンタクトがより薄くて頑丈なので、特定のアルファスペクトロスコピの用途ではエネルギー分解能が向上します。さらに、電子ノイズの低減、一部のアルファスペクトロスコピにおいて幾何学的効率の向上、60℃迄動作が可能なことや200℃でのベーキングが可能・・・等々の利点があります。
表面障壁型の利点は、厚み10μmの極めて薄い透過型検出器あるいは数mmの厚さの検出器を製造可能なことです。(※SSB検出器と呼ばれています。)
各検出器の特性はセレクションガイド(↓)を参照下さい。
また、荷電粒子検出器の寸法およびマウンティング形式はこちら を参照下さい。
1件〜8件 (全8件)
概要 イオン注入型シリコン検出器で、高分解能、高効率のアルファ線・ベータ線スペクトロスコピ向けの製品です。ボロンを注入した500Åの極薄いコンタクトにより優れた分解能を発揮します。また、シリコン表面とマウンティング表面の […]
メーカー名 : ORTEC
概要 ULTRA-ASは超低バックグラウンド、高効率のアルファ線・ベータ線スペクトロスコピ用に開発された製品です。低バックグラウンド用の特殊な材料を使用し、宇宙線によるバックグラウンドを最小化します。ULTRAシリーズ同 […]
メーカー名 : ORTEC
特長 冷却可能な厚膜シリコン検出器 優れたアルファ分解能 高分解能荷電粒子スペクトロスコピに最適 長方形の検出器や特注の構成も可能 製品仕様 有感面積:25〜450mm2 空乏層厚:1000〜2000μm 分解能(FWH […]
メーカー名 : ORTEC
特長 荷電粒子弁別、dE/dx測定用 放射線損傷への優れた耐久性 均一な高磁場特性により、ライズタイムディスクリミネーション・精度良いタイミング測定にも最適 製品仕様 有感面積:50〜450mm2 空乏層厚:150〜20 […]
メーカー名 : ORTEC
特長 バックスキャッタや、ビームターゲットの角度相関測定用 低電源作動(+15V〜+24V) ポリマーフロントコンタクト保護膜 製品仕様 有感面積:50〜450mm2 空乏層厚:100〜1000μm 分解能(FWHM): […]
メーカー名 : ORTEC
特長 重イオンTOF測定用 厚さの均等性仕様を保証 製品仕様 有感面積:10〜450mm2 空乏層厚:15〜100μm システムノイズ:15keV〜100keV 空乏層厚10〜40μm Eマウント、 >40μm Tマウン […]
メーカー名 : ORTEC
特長 重イオンスペクトロスコピ用 アニュラ仕様・標準以上の空乏層厚も可能 製品仕様 有感面積: 100〜900mm2 空乏層厚: ≧60μm 最大ノイズ: 18〜35keV マウント: 標準Bマウント (他の形状について […]
メーカー名 : ORTEC
特長 真空あるいは周辺光の差す空気中での荷電粒子スペクトロスコピ用 ふき取り可 製品仕様 有感面積:50〜2000mm2 空乏層厚:100〜500μm 分解能:15keV〜80keV マウント:Bマウント(他の形状につい […]
メーカー名 : ORTEC
シリーズ | 主な用途 | 開始材料 | 有感面積(mm2) | 空乏層厚(μm) | 動作温度範囲 | 構造 | 入射窓の等価阻止能 | 出射窓の等価阻止能 |
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ULTRA | 高分解能、高効率アルファおよびベータスペクトロスコピィ | Si | 25~3000 | 100~500 | +60℃~-196℃ (LN2) |
ボロン注入-NタイプSi As注入 部分空乏 |
500Å | – |
ULTRA AS |
超低バックグラウンド高効率アルファスペクトロスコピィ | Si | 300~1200 | 100 | +60℃~-196℃ (LN2) |
ボロン注入-NタイプSi As注入 部分空乏 |
500Å | – |
A | 高分解能荷電粒子スペクトロスコピィ用 | Si | 25~450 | 1000~5000 | +25℃~-30℃ | 金-NタイプSi アルミニウム 部分空乏 |
800Å Si | – |
B | 荷電粒子弁別 dE/dX測定用 | Si | 50~450 | 150~5000 | +25℃~-30℃ | 金-NタイプSi アルミニウム 完全空乏 |
800Å Si | 2250Å Si |
C | バックスキャッタ 角度相関測定用 | Si | 50~450 | 100~1000 | +25℃~-30℃ | 金-NタイプSi アルミニウム 部分空乏 |
800Å Si | 2250Å Si |
D | 重イオンTOF測定用 | Si | 10~450 | 15~100 | +10℃~25℃ | 金-NタイプSi アルミニウム 完全空乏・プレナ |
800Å Si | 2250Å Si |
F | 重イオンスペクトロスコピ用 | Si | 100~900 | ≧60 | +25℃~-30℃ | 金-NタイプSi アルミニウム 部分空乏 高電界強度 |
800Å Si | – |
R | 環境測定用 (Light-tight, cleanable) |
Si | 50~2000 | 100~500 | +25℃~-30℃ | アルミニウム-PタイプSi 金 部分空乏 |
2300Å Si | – |